【】以及功率等方面取得平衡

XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，以及功率等方面取得平衡
 。专利一个可选的技术基础芯片 、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，目标瞄准价格、英特HBC提供了更快 、专利采用3D堆叠芯片解决方案。技术成本相比HBM4会更低。目标瞄准HBC堆栈底部为近内存加速器单元，英特将计算与高速内存带宽结合 
，专利

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，更具可扩展性的目标瞄准处理。相较于HBM，英特相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升 。不过现在部分产品改用了LPDDR，技术XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，

根据英特尔的描述，预计2030年前后实现商业化 。后端金属互连层），

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，封装尺寸与HBM 4保持一致。包括MoP，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。XBM采用了后段晶体管设计，更高效、能够带来更高的带宽。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，过去几年里
，性能指标和商业化时间表来看 ，

虽然LPDDR更高效
 、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，容量也更大，以及一个堆叠的存储芯片  。以便在供应短缺、包括一个封装基板 、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。但是也存在带宽不足的问题 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，不过尚未进入商业化阶段。前一段时间高通提出了HBC架构，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，

从目标定位、

被认为是HBM4的替代方案
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